首次10nm以下!三星研发全新4F2内存芯片:面积缩减30%
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快科技5月26日消息,DRAM内存进入20nm节点以内已经有四五年时间了,三星、SK海力士及美光三大巨头开发了多代1x nm工艺的内存,作为一哥的三星从14nm节点开始引入EUV工艺,前不久还正式量产了12nm工艺的内存。
新内存单颗容量16Gb(2GB),最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz),相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影,对比上代功耗降低了多达23%,同时晶圆生产率提高了20%。
12nm之后呢?去年有消息称三星还在开发11nm工艺的内存,但即便11nm内存搞定了,内存行业迟早还要面对10nm以下的内存如何制造的难题,这就需要全面改进内存芯片架构了。
日前韩国媒体爆料称,三星已经组建了一个团队,负责研发4F2结构(下图中WL与BL的乘积,数字越小意味着面积越小)的新一代DRAM内存芯片,与现在的6F2结构相比,即便工艺不变,面积也能减少30%,进一步提高存储密度。
按照三星的想法,4F2架构的内存芯片有望成为10nm以下工艺节点的关键,工艺提升+架构改进双管齐下进一步推进内存芯片容量、性能等提升。
不过4F2结构的内存芯片早在10多年前就有研发了,刚进入DDR3时代就有厂商计划使用,只是一直没有取得实际的进展,制造难度也是非常大的。
除了4F2结构的内存之外,其他厂商还在计划别的技术路线,SK海力士的目标就是3D DRAM内存,但是这些新技术都有制造成本高的问题,需要时间来解决。
现货资源
品名 | 规格 | 材质 | 厂家 | 地区仓库 | 价格 | 现货 |
---|---|---|---|---|---|---|
螺纹钢 | 12-32 | HRB400E | 长治市创发商贸有限公司 | 首钢长钢(首钢长钢) | 0 | 详情 |
热轧卷板 | 15.50×1500 | Q235B | 宁夏祥合明贸易有限公司 | 包钢(银川市西夏区) | 0 | 详情 |
普碳中板 | 14 | Q235B | 唐山沐翌供应链有限公司 | 唐钢(金秋港) | 0 | 详情 |
低合金板 | 90 | Q345B | 舞钢市跃翔工贸有限公司 | 舞钢(润德仓储) | 0 | 详情 |
无缝管 | 12*2 | 20# | 山东东银金属材料有限公司 | 聊城精密(东银库) | 5700 | 详情 |
圆钢 | 20# | Q235 | 长葛市宝鼎钢材有限公司 | 宝鼎钢铁(长葛市于井钢材交易市场) | 3950 | 详情 |
热轧卷 | 3.0*1800*C | Q235B | 上海盛钢联供应链管理有限公司 | 万钢(泉安/长和隆) | 0 | 详情 |
高线 | 6、8、10 | 300E | 兰州清琦物资有限公司 | 酒钢宁钢兰鑫(厂发库提) | 0 | 详情 |
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