在已有的压电晶体中，具有零温度系数切型的晶体很少，探索具有零温度系数切型的新压电晶体，已成为材料工作者追求的目标之一。在铁电体的研究过程中，用掺杂改性不仅改进了材料的压电性能，而且还促进了二元系和三元系等铁电材料的发展。对于非铁电性压电晶体，是否也可采用掺杂改性方法来改善晶体的性能?这个问题长期未得到满意的回答。磷酸铝晶体AlPO4；具有和石英晶体相同的结构类型，属非铁电性压电晶体，也有零温度系数切型，适宜于做宽带、低损耗声表面波器件，是一种有应用前景的压电晶体。

　　由于AlPO4晶体的人工培育较难，批量生产间题长期未解决，1986年前后，印度科学家曾试图用掺杂改性方法来改进AlPO4晶体的培育和性能。他们先后研究了近20种一价到四价金属掺杂离子对AlPO4晶体的影响，并发现当掺杂浓度超过0.05时，晶体性能显著下降，晶系结构也发生变化，没有达到他们的目的。我们考虑到:第一，Al和Ga同属第三族元素，其离子半径分别为0.050nm和0.062nm，都能满足共价SiO2类型磷酸盐的形成条件，即Al和Ga可分别形成相同结构的AlPO4和GaPO4压电晶体。在半导体材料GaPO4中，Al可以取代Ga而形成AlxGa1-xAs材料。同理，在AlPO4晶体中也可用Ga取代Al来形成固溶体式Al1-xGaxPO4(0

　　它与AIPO.晶体衍射峰的形状和相对强度都存在一一对应关系，只是衍射峰的相对位置略有移动。这表明AGP晶体是单晶，并具有与与AlPO4晶体衍射峰的形状和相对强度都存在一一对应关系，只是衍射峰的相对位置略有移动。这表明AGP晶体是单晶，并具有与AlPO4晶体相同的晶格结构，同属三方晶系32点群；Ga3+离子可取代Al3+离子进入晶格中相应的位置。

　　AGP晶体是属于三角晶系32点群的二元系压电晶体；还表明，具有类似石英晶体结构的非铁电性压电晶体也可以形成固溶体式的单晶。在AGP晶体人工培育过程中发现，当x<0.50时，AGP晶体的溶解度随温度的变化优于AlPO4晶体和GaPO4晶体，所以AGP晶体的人工培育较AlPO4和GaPO4晶体容易，而透明度有明显提高。而从温度特性的测量，已初步发现AGP晶体具有零温度系数切型。由此可见，AGP晶体是一种有应用前景的新型压电晶体，它的发现对扩大压电晶体材料的研究领域、促进压电晶体材料在我国的分展是有现实意义的。